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ASTM F996-2011 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
标准号 ASTM F996-2011     登录可关注该标准
中文名称 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
英文名称 Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
发布日期 2011-01-01
工作组 F01.11
中国标准分类 L42
国际标准分类 31.080.30
本标准中的术语
页数 7


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